半導体
MOS FET
MOS Diode
図のように半導体（シリコン）と金属で酸化膜を挟んだ構造です。この構造で半導体の下側はオーミック電極（抵抗性）とし、上の金属も電極とします。この２つの電極には電圧をかけるのですが、まずは電極に電圧をかけない場合の理想的なエネルギーバンド図を考えます
電圧をかけないときのエネルギーバンド図は下の図のようになっています。このとき、金属の仕事関数qΦmと半導体の仕事関数（フェルミ準位）とが一致しています。
逆バイアス
半導体をp型としたときに、金属にー、半導体に＋の電圧をかけます。（この電圧のかけ方を逆バイアス（Revarse Bias ）と言います。）このとき、絶縁層を通して半導体側にマイナスの電圧が見えるために、p型半導体のholeが絶縁層と半導体の界面に集まります。
集まったキャリアは絶縁層で電流が流れないため半導体のフェルミ準位は変化しません。
このようにキャリアが集まった状態を蓄積と言います。
Semicon 00...
