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半導体

MOS FET

MOS FET 特性(2)

前のページよりも大きな電圧をドレインーソース間にかけます。ドレインーソース間電圧なのでVDSと呼びます。 ちょうどVDS=VGS - VTHとなる電圧です。
このとき、チャネルのドレイン端では、VTHとなり、チャネルが0になります。
表現が正しくないような気もするが。この状態をPinch OFFと言います。
MOSOpr2.jpg
Pinchはつまむとか、締め付けるという意味なので、現象のイメージがわかりやすいです。
この時があるVGSでの最大付近の電流になります。

MOSOpr3.jpg

ドレイン電圧が大きいとき

さらに大きな電圧をドレインーソース間にかけてみましょう。
条件は VDS >> VGS-VTH です。
この時、チャネルのPinch OFF点は、ソース側に移動します。また、ドレイン側の空乏層は広がりますが、電流は細くなったチャネル(高抵抗)を通して流れ続けます。
この時の電流は VDS = VGS-VTH の時の電流のままです。
この状態の MOS FETは電流源と見なせますので、増幅器の設計が行いやすいことになります。

buttonPrev1.jpg

ButtonNext1.jpg

半導体

半導体に関して

電気伝導と半導体物性、バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタの特性に関する記事です。ここでは、設計に必要なパラメータと半導体物性による各素子の特性の関連に関しても言及しています。

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電子回路の基礎と応用に関しての記事です。基礎的な回路理論とバイポーラトランジスタ、MOSトランジスタを用いた回路理論の関連に関して書いています。

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