半導体
バイポーラトランジスタ
ベース幅変調効果
コレクタとベース間には、逆方向の電圧を加えています。このため、コレクタとベース間の接合部分には空乏層が存在しています。この空乏層はベースへも入り込んでいます。エミッタ接地回路でコレクタエミッタ間の電圧を大きくすると、コレクタ・ベース間の逆方向電圧も大きくなります。この電圧が大きくなると、空乏層のベース側への広がりが大きくなります。このことは、実行ベース幅Wbが短くなることを意味していますので、βが大きくなり、コレクタ電流が増えます。これと関係の深い設計パラメータがアーリー電圧VAです。
Early Voltage (アーリー電圧）
非飽和領域でのコレクタ電圧とコレクタ電流の関係は、図のようになっています。非飽和領域の接線を延長すると、電圧軸上の一点に収束します。（ただし、測定のさいに高電流が流れたたままになると、その発熱で一点に収束しなくなります。）
この電圧をアーリー電圧VAと言います。このアーリー電圧が分かると、簡単に小信号でのコレクタ抵抗を求めることができます。コレクタ抵抗は以下の式で求まります。
ただし、大電流、大信号での動作などでは、この他の要素も効いてくるため、Vce-Ic特性は素直な直線から外れてきます。
Semicon 00...
