半導体
バイポーラトランジスタ
電流特性（Vbe-Ic特性）
簡単な原理は前のページで見ました。もう少し詳しく電流特性をみてみます。
コレクタ電流Icは、
----(1)
です。ここで、
です。
A：面積
WB：ベース幅
です。コレクタ電流はベース幅が短くなると大きくなり、接合の面積に比例すると言うことです。（ICを設計するときは、これは重要です。）
また、ベース電流Ibは
です。
トランスコンダクタンス
バイポーラトランジスタのトランスコンダクタンスを求めます。トランスコンダクタンスは電子回路の設計をする上でよく使わます。
エミッタ接地回路のトランスコンダクタンスは、(1)式をΔVbeで微分することで
求めます。
結果は
式のようになります。
この式から、バイポーラトランジスタのgmはIcを決めれば求まることが分かります。
実際にはコレクタ電流など限界がありますが。限界を知って、適用範囲を理解すれば問題なく、この式に乗ります。
Semicon 00...
