半導体
MOS FET
MOS FET 構造
図がMOS FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）の構造です。
先ほどまでのMOS Diodeの金属電極の両側にN型半導体を作り、その上部に電極を取り付けた構造です。絶縁物は通常SiO2を用いています。
両側の電極はそれぞれ、ソース（Source）、ドレイン（Drain）と名付けられています。
ソースはキャリアの元で、ドレインは抜き取るという意味です。この構造はN-Channel MOS FETのものです。この構造のFETでは電流のキャリアは電子になります。
キャリアがホールのものをP-channel MOS FETと言います。どちらも簡単にNーMOS、PーMOSなどと言ったりします。
ドレイン電圧が小さいとき
では、N-Channel MOS FETで動作を考えてみます。バイアスのかけ方は、ソースに対してドレインにわずかに＋の電圧をかけます。基板とソースはGNDにしておきます。
また、ゲートには反転層ができる電圧以上をかけておきます。
反転層ができる電圧をVTHと言います。
このとき、ゲートの直下には反転層（チャネル）ができています。ドレインに＋の電圧をかけるとチャネル内のキャリア（電子）はドレインの＋電圧に引かれて移動し、電流が流れます。この時は特性はほぼ直線（抵抗）になります。
Semicon 01...
