半導体
MOS FET
飽和領域の電流
前のページ、VDS > VGS-VTHで電流は一定であるとしましたが、よく考えてみるチャネル長Lが電圧で変化すると言っています。この実効チャネル長が変化する効果をチャネル長変調効果と言います。
図の様に近似するとIDはVDSによって変化します。
また、元のチャネル長が長いほど、相対的な変化は小さくなります。
相互コンダクタンス
デバイスの出力電流の変化を入力電圧の変化で割ったものを相互コンダクタンスと言います。（何回も出てくる）
MOS FETの場合も求めておきましょう。
簡単ですが、図の様になります。PMOSも同様です。
Semicon 01...