半導体
MOS FET
MOS FET 特性(4)
少し数式を使ってMOS FETの特性を考えみましょう。電圧の低い領域から考えてみます。
電流と言うのは、電荷の移動です。従ってゲート直下の電荷（キャリア）の移動を考えみます。図のｘの場所での電荷は 最初の式で表されます。この電荷により電流は２番目の式のようになり、それをゲートの長さLに対して積分すると４番目の式になり、これがある
VDSを与えたときの電流になります。ただし、境界条件はVDS < VGS - VTH です。
この電流のピークを計算すると図の最後の式なります。
グラフの水色の線はIdmax で４番目の式の頂点をつないだ線になります。
この線の左側をTriode Region （三極管領域）と言います。
ドレイン電圧が大きいとき
ドレインーソース間電圧VDSをVGS-VTHより大きくしていったときには、Pinch OFF点がソース側に移動しますが、電流はほとんど変わりません。
従って、ドレイン電流は図の式のようになります。
この電流が一定の領域を飽和領域（Saturation Region）と言います。
バイポーラトランジスタの飽和領域とは意味も動作も異なりますので、要注意です。
Semicon 01...
