半導体
MOS FET
MOS Diode(2) 準バイアス
前のページとは反対に金属に＋の電圧をかけます。このような方向を順方向バイアス（Forward Bias）と呼びます。
まずは、あまり大きな電圧をかけていない時を考えます。
このとき、絶縁層を通してp型半導体と絶縁層の界面に＋の電圧が見えます。この電圧によってp型半導体内のホールは斥力をうけ、界面から遠ざかり界面近くにキャリアのない層（空乏帯）ができます。この状態を空乏と言います。
エネルギーバンド図は図のしたようになりますが、フェルミ準位は変化はありません。
順バイアス（２）
先ほどよりも大きな電圧を金属、半導体間にかけていきます。
その結果、空乏層で余っている電子が半導体と絶縁層の界面に現れてきます。
これを反転層（Inversion layer）と言います。この反転層がMOS FETで伝導チャネルとして働きます。
電圧を高くしていっても急激に厚くなることはありませんが、確実に電荷は増えます。
Semicon 00...
