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次は、入力抵抗を考えます。 MOS FETやJunction FETによる増幅器では直流ではゲート電流がほとんど流れませんので入力抵抗はほとんど無限大ですがバイポーラトランジスタではベース電流Ibが流れますので、有る抵抗値に見えます。その大きさを考えてみましょう。 ベース電流ibとコレクタ電流icの関係は また、icは
なので、これからベース入力抵抗rπは となります。さらに gm=1/re なので
エミッタに抵抗が入っている場合の入力抵抗を考えてみます。 上の図はその場合の小信号等価回路とRinの計算です。 Vinは以下の式のように、Vin'+Veの和で表される と置いても求められます。 どの方法でもOKです。 結果として、 が重要
電気伝導と半導体物性、バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタの特性に関する記事です。ここでは、設計に必要なパラメータと半導体物性による各素子の特性の関連に関しても言及しています。
半導体
電子回路の基礎と応用に関しての記事です。基礎的な回路理論とバイポーラトランジスタ、MOSトランジスタを用いた回路理論の関連に関して書いています。
電圧源、電流源 電圧制御電流源 増幅器 エミッタ接地増幅器 コレクタ接地増幅器
LTSpiceを用いてシミュレーションを行っています。
Simulation
電子の速度 参考文献